Memoria ddr5 per server 4f²: changxin memory pronta al debutto entro fine anno, due anni prima di samsung
ChangXin Memory Technologies (CXMT) ha annunciato l’obiettivo di presentare entro la fine del 2026 una nuova memoria server DDR5 RDIMM, basata sull’architettura DRAM 4F² e sulla tecnologia di Hybrid Bonding. Il calendario indicato dall’azienda cinese potrebbe anticipare di circa due anni il programma attribuito a Samsung, anche se tempi di produzione, prestazioni e disponibilità commerciale devono ancora essere verificati.
cxmt prepara la memoria ddr5 rdimm con architettura 4f²
Il presidente di CXMT, Cao Kanyu, ha illustrato i progressi della società durante la quarta conferenza dedicata ai circuiti integrati e ai chiplet, organizzata a Shanghai. In quell’occasione sono stati presentati gli sviluppi relativi a nuove architetture DRAM, transistor verticali e tecnologia di bonding ibrido. Per la prima volta è stato indicato anche un periodo previsto per il lancio della nuova memoria DDR5 RDIMM.
architettura 4f² e maggiore densità teorica
Le memorie DRAM attualmente più diffuse utilizzano celle con architettura 6F². La soluzione studiata da CXMT riduce invece la superficie occupata da ciascuna cella attraverso il passaggio al formato 4F². La lettera F identifica la dimensione minima caratteristica del processo produttivo: mantenendo invariato questo parametro, la nuova struttura può ridurre teoricamente di circa un terzo l’area della cella.
Considerando esclusivamente la superficie delle celle di memoria, la densità teorica potrebbe aumentare fino al 50%. Questo dato non consente però di prevedere automaticamente un incremento equivalente della capacità finale del chip né una riduzione dei costi produttivi. Il risultato concreto dipenderà anche dai circuiti periferici, dal processo di fabbricazione e dalle scelte progettuali del componente.
il ruolo dei transistor verticali vsg
Il progetto di CXMT si basa anche su transistor VSG, Vertical Surrounded Gate, sviluppati internamente. La struttura sostituisce il tradizionale canale orizzontale con una configurazione verticale, con l’obiettivo di migliorare il controllo esercitato dal gate e di contenere i problemi legati alla miniaturizzazione, tra cui correnti di perdita ed effetti di canale corto.
L’architettura 4F² richiede modifiche sostanziali alla produzione, poiché le procedure utilizzate per le celle 6F² non possono essere applicate direttamente. CXMT deve quindi intervenire sulla metallizzazione delle word line, sulla formazione delle bit line e sui processi di attivazione delle giunzioni. L’azienda dichiara inoltre di aver creato più di 300 famiglie di brevetti pubblici collegate a queste tecnologie, con studi diffusi nel 2021, 2023 e 2025.
cxmt potrebbe anticipare samsung di circa due anni
Secondo le stime riportate dalla stampa tecnologica, Samsung Electronics potrebbe introdurre una DRAM 4F² nel 2028. Se CXMT riuscisse a rispettare l’obiettivo di presentare la DDR5 RDIMM entro la fine del 2026, il produttore cinese avrebbe un possibile vantaggio temporale di circa due anni.
Il confronto si basa però su tempistiche previsionali differenti e non su risultati di produzione già confermati. CXMT non ha ancora comunicato la capacità dei moduli, la velocità di trasferimento, i consumi, il rendimento produttivo, gli esiti delle certificazioni presso i clienti o la data di avvio della produzione su larga scala. Non è quindi possibile stabilire che l’azienda raggiungerà effettivamente il mercato due anni prima di Samsung.
memoria ddr5 rdimm destinata ai server e all’intelligenza artificiale
La prima applicazione prevista riguarda la memoria DDR5 RDIMM, una tipologia registrata impiegata soprattutto nei server, nei data center e nei sistemi di calcolo ad alte prestazioni. Questi moduli devono garantire stabilità, compatibilità e funzionamento continuativo, requisiti particolarmente importanti nelle infrastrutture cloud e nei carichi di lavoro legati all’intelligenza artificiale.
Una densità superiore può consentire ai server di installare una quantità maggiore di RAM mantenendo invariato il numero di slot disponibili sulla scheda madre. Le RDIMM, però, non sono direttamente intercambiabili con le UDIMM utilizzate normalmente nei computer desktop. L’annuncio di CXMT non implica quindi una riduzione immediata dei prezzi della memoria DDR5 destinata al mercato consumer.
la piattaforma g5 è già in produzione, ma riguarda prodotti diversi
CXMT aveva annunciato in precedenza l’avvio della produzione della piattaforma DRAM di quinta generazione G5, insieme a chip LPDDR5X da 24 Gb. Secondo la società, il nuovo processo permette di ottenere da ogni wafer un numero di die superiore di almeno il 50% rispetto alla generazione precedente.
La produzione G5 e la memoria DDR5 RDIMM basata sull’architettura 4F² rappresentano però due sviluppi distinti. La disponibilità dei prodotti G5 non dimostra che la nuova memoria server sia già entrata nella fase di produzione industriale. Per quest’ultima restano da verificare il lancio effettivo, le caratteristiche tecniche e la successiva capacità produttiva.